半导体禁带宽度与耗尽层宽度有什么关系吗?
2018年7月6日 8 人赞同了该回答 一个问题一个问题的回答吧 1.半导体禁带窄了会不会影响耗尽层的宽度 均匀掺杂的耗尽层宽度是由如下公式决定 当不加外加偏压时 ,又有公式 可得内建电势,由此可见耗尽...
PN结耗尽层宽度跟参杂浓度的关系
最佳答案: 第一问:对于N型半导体,自由电子是多数载流子(多子)——杂质原子提供,空穴是少数载流子(少子)——热激发形成;而P型半...
PN结耗尽层宽度跟参杂浓度的关系不明白为什么高参杂的时候...
2015年12月9日 “齐纳击穿说不大的反向电压就可以在耗尽层形成很强的电场”,前面已经说过高掺杂,耗尽层宽度(d)小,将其看成平行板电容器,内电场E=U/d,所以E很强,直接打断共价...
耗尽层宽度和载流子浓度关系图是怎么得来的啊
2021年5月20日 <材料综合 (367) <论文道贺祈福 (300) <分析 (299) <考博 (298) <有机交流 (245)小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 测试表征 » 耗尽层宽...
什么是耗尽层宽度W,名词解释定义是?
2017年9月7日 耗尽层宽度W点击查看答案进入题库练习您可能感兴趣的试卷你可能感兴趣的试题1微电子学的特点是什么?2HDL3MASK4ASIC5SOC6IP7MPW8Foundry9Die10FPGA最新试题 一块...
关于半导体掺杂浓度与PN结耗尽层宽度问题
2014年12月15日 我分析既然掺杂浓度越大,耗尽层越窄,那么就说明耗尽层的电场强度跟掺杂浓度在一定范围内变化关系不大,因为掺杂浓度和耗尽层宽度成反比,它们的乘积也就基本不变...
耗尽层宽度
本文分析了三探针测试硅外延片中雪崩击穿时耗尽层宽度的面接触模型,理论和实验结果吻合。 详情<< 固体电子学研究与进展 1987年02期 下载 下载 4. VDMOS结构击穿电压的设计...
关于半导体掺杂浓度与PN结耗尽层宽度问题扩散是由于浓度差...
2016年11月21日 关于半导体掺杂浓度与PN结耗尽层宽度问题扩散是由于浓度差引起的,应该是浓度越大,扩散能量越强,那么耗尽层也应该越宽啊.实际却是掺杂浓度越大,耗尽层越窄.为什...
PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄
2020年9月10日 电场强度等于:掺杂浓度*宽度(e=nd*w) 电势差等于:电场强度*宽度 所以:电势差等于掺杂浓度*宽度的平方。 产生的电势差一样时,高掺杂的掺杂浓度大,所以耗尽层宽度...
对耗尽层、结电容、PN结的一些理解
耗尽层的宽度与材料本身性质、温度以及偏置电压的大小有关。在PN结中,由于载流子浓度的梯度,空穴、电子会通过扩散作用的形式分别向掺杂浓度低的N区、P区移动,P区流走空穴...
pn结耗尽层宽度计算
5天前 可是,最近投一篇文章,算了耗尽层宽度,其他三个审稿人都没提到这个问题,就一个审稿人说我算的不对...
PN结掺杂浓度对耗尽层宽度及内建电场和内建电势的影响
PN 结掺杂浓度对耗尽层宽度及内建电场和内建电势的影响 作者:夏鹏昆;程齐家 作者机构:南方科技大学 电子与电气工程系,广东深圳 518055;南方科技大学 电子与电气工程系,广东深...
PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄
2015年6月16日 PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄 耗尽区是电子和空穴复合形成的,高掺杂时候扩散过去的电子和空穴没走多远就都被复合掉了,所以耗尽区变薄(窄)。具体...
耗尽层宽度的英文
耗尽层宽度的英文翻译 基本释义 depletion width 耗尽层宽度的相关资料: 临近单词 耗 耗力 分享单词到: 以上内容独家创作,受著作权保护,侵权必究 今日热词 相关词典网站: 牛...
关注微信订阅号
查看更多高考头条资讯